凈化工程潔凈室的溫濕度主要是根據您的加工工藝要求來確定,在滿足加工工藝的條件下,先應該考慮人的舒適感。隨著空氣潔凈度要求的提高,工藝對溫濕度的要求也越來越高,必須達到一定的溫濕度等級。例如在大規(guī)模集成電路生產的光刻曝光工藝中,作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100um的硅片,溫度上升1度,就引起了0.24um線性膨脹,所以必須有±0.1度的恒溫,同時要求濕度值一般較低,因為人出汗以后,對產品將有污染,特別是怕鈉的半導體車間,這種車間不宜過25度。
濕度過高產生的問題更多。相對濕度過55%時,凈化工程冷卻水管壁上會結露,如果發(fā)生在精密裝置或電路中,就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。凈化工程要控制溫濕度具體有什么措施?
然而對于大部分潔凈空間,為了防止外界污染侵入,需要保持內部的壓力(靜壓)高于外部的壓力(靜壓)。壓力差的維持一般應符合以下原則:
1.潔凈度高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度低的空間的壓力。
2.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度高的房間。
3.潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。
壓力差的維持依靠新風量,這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄(或滲透)風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。
對于亂流潔凈室由于主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的程度,所以主要用換氣次數這念,而不直接用速度的概念,不過對室內氣流速度也有如下要求;1.送風口出口氣流速度不宜太大,和單純空調房間相比,要求速度衰減更快,擴散角度更大。2.吹過水平面的氣流速度(例如側送時回流速度)不宜太大,以免吹起表面微粒重返氣流,而造成再污染,這一速度一般不宜大干0.2m/s。